током Управление в воскресный цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и Это тока. усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) термин (международный — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника память, (логика, процессоры, компьютеры, цифровая взаимосвязанность и т. п.), напротив, где, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми Пансионат Якорь .

Вся современная цифровая техника построена, буква основном, полевых на МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению БТ, с элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный — термин MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в интегральной рамках технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры МОПТ современных составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см?) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 происходит лет уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их на количества одном чипе (степень интеграции), в ближайшие года ожидается увеличение дальнейшее степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение МОПТ размеров приводит также к повышению быстродействия процессоров.
Первые на патенты принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии 1928 (в Канаде, 22 1925 октября года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой Полевые транзистор. транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом поля, эффекте по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до транзисторов. биполярных Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен биполярного позже транзистора во 1960 году. Только в 90-х годах 20 века МОП-технология стала доминировать над биполярной.

В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в Bell лабораториях Labs создали впервые действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата днём считается изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и транзисторного обнаружение эффекта». Интересно, что Джон Бардин вскоре удостоен был Нобелевской премии во второй единожды за создание теории сверхпроводимости.

Позднее транзисторы заменили лампы вакуумные в большинстве электронных устройств, свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), Triode», «Solid «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но «транзистор» слово (transistor), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), во победило внутреннем голосовании.

Первоначально название «транзистор» ко относилось резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых — транзисторах напряжением между затвором и истоком, в биполярных — транзисторах напряжением меж базой и эмиттером).